澜起科技近日宣布了一项重要技术进展，该公司已成功向全球多家主流内存制造商送样其最新研发的第二代内存接口芯片套件。
这套芯片专为DDR5 MRDIMM（多路复用寄存器双列直插式内存模组）设计，包含多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）和多路复用数据缓冲器（MDB）。在一个MRDIMM模组中，会配备一颗MRCD和十颗MDB，共同协作以支持更高的数据传输速率。
据澜起科技介绍，第二代MRCD和MDB套件最高支持12800 MT/s的传输速率，相较于第一代产品的8800 MT/s，性能提升了约45%。这一显著的性能飞跃，无疑将为用户带来更为出色的内存使用体验。
在MRDIMM内存条中，MRCD芯片扮演着缓冲和中继来自内存控制器的地址、命令、时钟和控制信号的重要角色。而MDB芯片则专注于缓冲和中继来自内存控制器或DRAM内存颗粒的数据信号。这两种芯片的协同工作，结合时分复用技术，使得MRDIMM能够在标准速率下同时跨两个内存阵列进行数据传输，从而实现了相较于标准RDIMM双倍的数据传输速率。
澜起科技总裁Stephen Tai对此表示，随着人工智能和其他高性能计算应用的快速发展，数据中心内存正朝着更大容量和更高带宽的方向迈进。澜起科技凭借其在内存接口领域的深厚技术积累和前瞻性布局，成功量产了DDR5第一代MRCD和MDB套件，并迅速迭代推出了第二代产品。这不仅为DDR5内存技术的未来发展注入了新的活力，也进一步巩固了澜起科技在全球内存接口领域的领先地位。
此次澜起科技推出的第二代MRCD和MDB套件，无疑将为用户带来更为出色的内存性能和使用体验，同时也将推动整个内存行业的发展和进步。
